Double bit cells arrangement for use in non-volatile static RAM memory circuit, has non-volatile memory units arranged adjacent to each other along longitudinal axis, and connected with common control line e.g. recall line

The arrangement has static RAM memory cell arrangements (2, 3) for storing an information bit, and designed as flip-flop memory cells. Non-volatile memory units (4, 5) secure the stored information bit of the SRAM memory cell arrangements. The non-volatile memory units are arranged adjacent to each other along a longitudinal axis (7), where the non-volatile memory units are connected with a common control line e.g. recall line (8) and store line (9). The memory cell arrangements and the non-volatile memory units are arranged along the longitudinal axis. Der Erfindung, welche eine Anordnung einer Doppelbitzelle in einem NV-SRAM-Speicherschaltkreis betrifft, liegt die Aufgabe zugrunde, eine Anordnung zu schaffen, mit welcher der Platzbedarf einer NV-SRAM-Doppelbitzelle auf einem Chip verringert wird. Gemäß der vorliegenden Erfindung wird die Aufgabenstellung dadurch gelöst, dass die erste und zweite nichtflüchtige Speichereinheit entlang der Längsachse nebeneinander angeordnet sind und dass die erste und zweite nichtflüchtige Speichereinheit jeweils mit einer gemeinsamen Steuerleitung STORE, RECALL und nvPROG verbunden sind.