Leistungshalbleitermodul

Leistungshalbleitermodul (10) mit einem Substrat (12) und einem Gehäuse (14), wobei das Substrat (12) eine Metallstruktur (20) zur Ausbildung von Leiterbahnen und mit diesen mittels Bondverbindungselementen (24) kontaktierte Leistungshalbleiterchips (22) und das Gehäuse (14) Durchgangskanäle (26) für Druckkontakt-Federelemente (28) aufweist, die Druckkontakt-Federelemente (28) den elektrischen Strom in und aus das Modul führen und direkt und unmittelbar entweder an den Kontaktstellen (32) der Bondverbindungselemente (24) mit den Leistungshalbleiterchips (22) und/oder an den Kontaktstellen (32) der Bondverbindungselemente (24) mit den Leiterbahnen (20) mit den Bondverbindungselementen (24) der Leistungshalbleiterchips (22) kontaktiert sind. The power semiconductor module (10) has a substrate (12) and housing (14), where the substrate has a metal structure (20) for the formation of conductive strips. The conductive strips contact power semiconductor chips (22) by bond joint elements (24), and the housing has passage channels (26) for pressure contact spring elements (28). The pressure contact spring elements are directly and proximately contacted with the bond joint elements of the power semiconductor chips.