Rückwärtsleitender (RC-) IGBT mit senkrecht angeordneter Ladungsträgerlebensdaueranpassung

Ein RC-Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) umfasst ein Halbleitersubstrat, das eine Vorderseite und eine Rückseite und eine erste Leitfähigkeitsregion zwischen den Vorder- und Rückseiten aufweist. Die erste Leitfähigkeitsregion umfasst eine Zone reduzierter Lebensdauer, eine erste Lebensdauerzone zwischen der Zone reduzierter Lebensdauer und der Vorderseite und eine Zone mittlerer Lebensdauer zwischen der Zone reduzierter Lebensdauer und der Rückseite. Ladungsträger in der ersten Lebensdauerzone weisen eine erste Ladungsträgerlebensdauer auf, Ladungsträger in der Zone reduzierter Lebensdauer weisen eine reduzierte Ladungsträgerlebensdauer auf, die kürzer ist als die erste Ladungsträgerlebensdauer, und Ladungsträger in der Zone mittlerer Lebensdauer weisen eine mittlere Ladungsträgerlebensdauer auf, die kürzer ist als die erste Ladungsträgerlebensdauer und länger als die reduzierte Ladungsträgerlebensdauer. A reverse conducting insulated gate bipolar transistor (IGBT) includes a semiconductor substrate having a front side and a back side and a first conductivity region between the front and back sides. The first conductivity region includes a reduced lifetime zone, a first lifetime zone between the reduced lifetime zone and the front side, and an intermediate lifetime zone between the reduced lifetime zone and the back side. Charge carriers in the first lifetime zone have a first carrier lifetime, charge carriers in the reduced lifetime zone have a reduced carrier lifetime shorter than the first carrier lifetime, and charge carriers in the intermediate lifetime zone have an intermediate carrier lifetime shorter than the first carrier lifetime and longer than the reduced carrier lifetime.