Halbleitereinrichtung mit adaptiver Leseeinheit und Verfahren zum Lesen eines Speicherzellenfeldes

Leseverfahren für ein Speicherzellenfeld (41), umfassend: Lesen von Nutzdatenblöcken aus Nutzdatenabschnitten (51) des Speicherzellenfeldes (41) durch Anlegen eines Applikations-Lesesignals und dabei Prüfen einer Anzahl von Bits eines vordefinierten Zustands in aus Prüfabschnitten (52) des Speicherzellenfeldes (41) ausgelesenen sekundären Prüfwörtern; Absenken oder Erhöhen der Applikations-Lesespannung um eine Abstands-Prüfspannung; Lesen eines ersten sekundären Prüfworts aus dem Prüfabschnitt (52); Bestimmen der Anzahl von Bits des vordefinierten Zustands im ersten sekundären Prüfwort; und, falls die Anzahl der Bits des vordefinierten Zustands im ersten sekundären Prüfwort ungleich der Anzahl der Bits des vordefinierten Zustands in einem primären Prüfwort ist; Erhöhen der Applikations-Lesespannung um mehr als die Abstands-Prüfspannung im Falle eines vorangegangenen Absenkens oder Absenken der Applikations-Lesespannung um mehr als die Abstands-Prüfspannung im Falle einer vorangegangenen Erhöhung.