Halbleiterbauelement, Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements und Maske zum Herstellen eines Halbleiterbauelements
Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit einem Substrat, umfassend eine Struktur, wobei die Struktur einen ersten Teil und einen zweiten Teil aufweist, wodurch a) mindestens eine Sektion des Rands des ersten Teils der Struktur sich unter einem im wesentlichen konstanten Abstand, gemessen...
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Hauptverfasser: | , |
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Format: | Patent |
Sprache: | ger |
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Zusammenfassung: | Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit einem Substrat, umfassend eine Struktur, wobei die Struktur einen ersten Teil und einen zweiten Teil aufweist, wodurch a) mindestens eine Sektion des Rands des ersten Teils der Struktur sich unter einem im wesentlichen konstanten Abstand, gemessen parallel zu dem Substrat, von einer ersten Sektion eines Rands einer zweiten Struktur befindet, b) mindestens eine Sektion des Rands des zweiten Teils der Struktur mit einem Rand einer zweiten Sektion der gleichen zweiten Sektion ausgekleidet ist, c) die erste Sektion des Rands der zweiten Struktur und eine zweite Sektion des Rands der zweiten Struktur sich an mindestens einem Punkt vereinigen, wodurch der Winkel zwischen den Tangenten der Ränder der ersten und zweiten Sektion der zweiten Struktur unter 90° liegt, d) die Struktur und die zweite Struktur durch eine Abstandshalterstruktur beabstandet sind.
A semiconductor device with a substrate includes a structure. The structure has a first part and a second part. At least one section of the edge of the first part of the structure is at an essential constant distance measured parallel to the substrate to a first section of an edge of a second structure. At least one section of the edge of the second part of the structure is lined with an edge of a second section of the same second section. The first section of the edge of the second structure and a second section of the edge of the second structure merge at least at one point, whereby the angle between the tangents of the edges of the first and second section of the second structure is less than 90°. The structure and the second structure are distanced by a spacer structure. |
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