Simultaneous double-side grinding providing method for semiconductor wafer, involves machining semiconductor wafers in material-removing fashion between rotating upper working disk and lower working disk

The method involves machining semiconductor wafers (15) in material-removing fashion between two rotating upper and lower working disks (1, 4), where the working disks comprises working layers (11, 12) containing bonded abrasive. The temperature in the working gap (30) is kept constant during the machining, where each semiconductor wafer lies such that the wafer is freely moveable in a cutout of one of a set of carriers caused to rotate by a rolling apparatus. An independent claim is also included for a semiconductor wafer comprising an isotropic ground pattern. Verfahren zum gleichzeitigen beidseitigen Schleifen mehrerer Halbleiterscheiben, wobei jede Halbleiterscheibe frei beweglich in einer Aussparung einer von mehreren mittels einer Abwälzvorrichtung in Rotation versetzten Läuferscheiben liegt und dadurch auf einer zykloidischen Bahnkurve bewegt wird, wobei die Halbleiterscheiben zwischen zwei rotierenden Arbeitsscheiben Material abtragend bearbeitet werden, wobei jede Arbeitsscheibe eine Arbeitsschicht umfasst, die gebundenes Schleifmittel enthält, dadurch gekennzeichnet, dass die Winkelgeschwindigkeiten i und ωi so gewählt werden, dass der Betrag des Verhältnisses aus der Differenz der Beträge der theoretischen Abnutzungder beiden Arbeitsschichten zum Mittelwert der Beträge der Abnutzung beider Arbeitsschichten für jede radiale Position r weniger als 1/1000 beträgt, wobei der Betrag der theoretischen Abnutzung einer jeden Arbeitsschicht gegeben ist durchwobei a den Teilkreisradius der Umlaufbewegung der Läuferscheiben auf den Arbeitsscheiben um den Mittelpunkt der Abwälzvorrichtung; e den Abstand des momentan betrachteten Aufpunkts vom Mittelpunkt der entsprechenden Läuferscheibe; l(e) die innerhalb der Fläche der Halbleiterscheibe verlaufende Bogenlänge des...