Ladungsteilchenstrahl-Schreibverfahren und Ladungsteilchenstrahl -Schreibvorrichtung

Ladungsteilchenstrahl-Schreibverfahren zum Schreiben eines Musters auf eine Vorderseite eines Substrats (101) unter Verwendung eines Ladungsteilchenstrahls in einer Ladungsteilchenstrahl-Schreibvorrichtung (100), wobei das Ladungsteilchenstrahl-Schreibverfahren die folgenden Schritte aufweist:Messen (S102) einer Topografie einer Rückseite eines Substrats (101) ohne einen Einfluss eines Schwerkraftdurchhangs;Berechnen (S108) eines ersten Positionsabweichungsmaßes eines auf eine Vorderseite des Substrats (101) geschriebenen Musters basierend auf der Rückseitentopografie des Substrats (101), in einem Fall, in dem die Rückseite des Substrats (101) derart korrigiert wurde, dass sie eben ist;Berechnen (S110) eines ersten Koeffizienten einer ersten Approximationsgleichung, die ein Positionsabweichungskorrekturmaß zum Korrigieren des ersten Positionsabweichungsmaßes anzeigt, basierend auf dem ersten Positionsabweichungsmaß;Addieren (S112) des ersten Koeffizienten zu einem zweiten Koeffizienten einer zweiten Approximationsgleichung,wobei die zweite Approximationsgleichung ein Positionsabweichungskorrekturmaß zum Korrigieren eines zweiten Positionsabweichungsmaßes des auf die Vorderseite des Substrats (101) geschriebenen Musters anzeigt, welches zweite Positionsabweichungsmaß eine Positionsabweichung aufgrund einer Deformation durch den Schwerkraftdurchhang sowie eine den Koordinaten der Ladungsteilchenstrahl-Schreibvorrichtung (100) eigene Positionsabweichung ist; undSchreiben (S114) des Musters auf die Vorderseite des Substrats (101) unter Verwendung eines Ladungsteilchenstrahls (200), basierend entweder auf einem Positionsabweichungskorrekturmaß, das durch eine dritte Approximationsgleichung ermittelt wurde, das ein Positionsabweichungskorrekturmaß unter Verwendung eines dritten Koeffizienten anzeigt, der als ein Ergebnis der Addition ermittelt wurde, oder auf dem Positionsabweichungskorrekturmaß, das durch die zweite Approximationsgleichung erzielt wurde. A charged particle beam writing method includes measuring a topography of a backside of a substrate without an influence of a gravity sag, calculating a first positional deviation amount of a pattern written on a frontside of the substrate in a case of the backside of the substrate having been corrected to be flat, based on the the backside topography of the substrate, calculating a first coefficient of a first approximate expression indicating a positional deviation correction amount for correcting the first p