Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode mit vertikaler Struktur

Verfahren zur Herstellung einer vertikalen Leuchtdiode, welches die folgenden Schritte aufweist: Bilden einer Leuchtstruktur (115) mit einer n-Typ Mantelschicht (115a), einer aktiven Schicht (115b) und einer p-Typ Mantelschicht (115c), die der Reihe nach auf einem Wachstumssubstrat (101) mit einer Vielzahl von Vorrichtungsbereichen und wenigstens einem Vorrichtungs-Isolierbereich gebildet werden; Bilden eines Grabens (120) in der Leuchtstruktur (115) auf dem Vorrichtungs-Isolierbereich, um die Leuchtstruktur (115) in einzelne Vorrichtungsbereiche zu trennen; Bilden von p-Typ Elektroden (106) auf der Leuchtstruktur (115) auf den Vorrichtungsbereichen; Perforieren eines Glassubstrats (110), um Durchgangslöcher (130) zu erzeugen; Vorsehen des Glassubstrats (110) mit den darin erzeugten Durchgangslöchern (130) auf den p-Elektroden (106), so dass die Durchgangslöcher (130) entsprechend den p-Elektroden (106) angeordnet und die einzelnen Vorrichtungsbereiche durch das Glassubstrat (110) verbunden sind; Füllen der Durchgangslöcher (130) mit Metall, um Leiterbahnen einer Metallüberzugschicht (116) auf den p-Elektroden (106) zu bilden; Entfernen des Wachstumssubstrats (101), um n-Elektroden (119) auf der n-Typ Mantelschicht (115a) zu bilden; und Entfernen des Glassubstrats (110) durch Ätzen. The method involves forming layer for a lighting structure (115) with n-type coating layer (115a), an active layer and p-type coating layer (115c). An appropriate p-electrode is formed on that lighting structure on a device area. The through holes are covered with metal, over conductive strips of a metal coating layer to form p-electrodes. The metal coating layer has metals for e.g. gold, copper, nickel, silver, chromium, tungsten, aluminum, Platinum, tin, lead, iron, titanium, molybdenum.