Equipment with vaporizer, vapor line and deposition chamber producing e.g. thin films of titanium oxidic ceramic by chemical vapor deposition, includes temperature control chamber

The vaporizer (12) and a section of the line (14) to the reaction and deposition chamber (3) are contained in a temperature-controlled chamber (30) through which a tempering fluid flows. The precursor substance (7) supplied to the vaporizer, is brought to the vaporization temperature by this flow. One pump (32) outside the tempering chamber recirculates the fluid, a further pump (18) outside the chamber supplies the precursor substance to the vaporizer. Temperature sensors (34, 36) and a pressure sensor are included in the tempering chamber. A carrier gas is supplied with the vaporized substance. This gas is led into the vaporizer. A control valve (24) is included in the line (14). An independent claim IS INCLUDED FOR the corresponding method. Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Verdampfen einer Vorläufersubstanz ("Precursor") (7) und zum Heranführen der verdampften Vorläufersubstanz an ein in einer Reaktionskammer (3) angeordnetes, zu beschichtendes Substrat (5), umfassend einen Verdampfer (12) zum Verdampfen der Vorläufersubstanz (7) und eine mit dem Verdampfer (12) verbundene Leitung (14), durch welche hindurch die verdampfte Vorläufersubstanz in die Reaktionskammer (3) hinein und an das Substrat (5) heranführbar ist. Um hierbei insbesondere auch weniger stabile bzw. "sensible" Vorläufersubstanzen zuverlässig zu verdampfen und an das zu beschichtende Substrat heranzuführen, ist erfindungsgemäß vorgesehen, dass der Verdampfer (12) und ein verdampferseitiger Abschnitt der Leitung (14) in einer von einem Temperierungsfluid durchströmbaren Temperierungskammer (30) angeordnet sind. Die Erfindung betrifft ferner ein Beschichtungssystem, insbesondere ein CVD-Beschichtungssystem, unter Verwendung einer derartigen Verdampfervorrichtung bzw. eines derartigen Verdampfungsverfahrens.