Verfahren zur Ausbildung eines dotierten Abschnitts und eines Transistors
Ein Verfahren zur Ausbildung eines dotierten Abschnitts (42) umfasst das Vorsehen eines Halbleitersubstrats (1) mit einer Substratoberfläche (10) und das Definieren einer Mehrzahl von vorstehenden Abschnitten (2) auf der Substratoberfläche (10). Die vorstehenden Abschnitte (2) weisen eine minimale H...
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Format: | Patent |
Sprache: | ger |
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