Verfahren zur Ausbildung eines dotierten Abschnitts und eines Transistors

Ein Verfahren zur Ausbildung eines dotierten Abschnitts (42) umfasst das Vorsehen eines Halbleitersubstrats (1) mit einer Substratoberfläche (10) und das Definieren einer Mehrzahl von vorstehenden Abschnitten (2) auf der Substratoberfläche (10). Die vorstehenden Abschnitte (2) weisen eine minimale Höhe auf. Über der Substratoberfläche (10) wird eine Strukturschicht (32) vorgesehen. Abschnitte der Strukturschicht (32) oberhalb vordefinierter Substratabschnitte werden entfernt. Ein Schrägimplantationsschritt wird ausgeführt, wobei ein Winkel eines Ionenstrahls zur Substratoberfläche kleiner ist als 90°. Die Strukturschicht (32) sowie die vorstehenden Abschnitte (2) wirken als Schirm gegen den Ionenstrahl. Die vordefinierten Substratabschnitte werden mit Ionen dotiert und anschließend die Strukturschicht (32) entfernt. Das Verfahren erlaubt etwa die Ausbildung von Halo-Dotierungsabschnitten (42) mit hoher Präzision und unabhängig von der Dichte der Anordnung von vorstehenden Abschnitten, wie zum Beispiel Gateelektroden (2) auf einem Halbleitersubstrat (1). A method of forming a doped portion of a semiconductor substrate includes: defining a plurality of protruding portions on the substrate surface, the protruding portions having a minimum height; providing a pattern layer above the substrate surface; removing portions of the pattern layer from predetermined substrate portions; performing an ion implantation procedure such that an angle of the ions with respect to the substrate surface is less than 90°, wherein the ions are stopped by the pattern layer and by the protruding portions, the predetermined substrate portions thereby being doped with the ions; and removing the pattern layer.