Phasenänderungsspeicherbauelement

Die Erfindung bezieht sich auf ein Phasenänderungsspeicherbauelement mit einem Speicherfeld (410), das eine Mehrzahl von Speicherzellen (10) beinhaltet. DOLLAR A Ein erfindungsgemäßes Phasenänderungsspeicherbauelement beinhaltet eine Schreib-Boostschaltung (PUMPW), die in einem ersten Betriebsmodus eine erste Spannung (VCC) anhebt und eine erste Steuerspannung (VPP1) in Reaktion auf ein Steuersignal (WEN) abgibt und in einem zweiten und dritten Betriebsmodus die erste Spannung anhebt und eine zweite Steuerspannung (VVP2) in Reaktion auf das Steuersignal abgibt. Ein Schreibtreiber (WD) wird im ersten Betriebsmodus durch die erste Steuerspannung angesteuert und schreibt Daten in eine ausgewählte Speicherzelle des Speicherfeldes. DOLLAR A Verwendung in der Technologie von elektronischen Speichern mit Phasenänderungsmaterial. A phase change memory device of one aspect includes a memory array including a plurality of phase change memory cells, a write boosting circuit, and a write driver. The write boosting circuit boosts a first voltage and outputs a first control voltage in response to a control signal in a first operation mode, and boosts the first voltage and outputs a second control voltage in response to the control signal in a second operation mode and a third operation mode. The write driver is driven by the first control voltage in the first operation mode and writes data to a selected memory cell of the memory array.