Memory device e.g. programmable ROM, forming method, involves forming contact holes in layers of insulating material and layer of active material, and filling contact holes with conducting material to form electrode contacts

The method involves depositing a layer of insulating material on a substrate (1), and depositing a layer of switching active material on the layer of the insulating material. The active material layer is structured to form volumes of the active material, and another layer of insulating material is deposited. Contact holes are formed in the layers of the insulating material and switching active material layer. The contact holes are formed with a conducting material to form electrode contacts for connection of volumes of the active material. An independent claim is also included for a memory device with a number of memory cells on a substrate. Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bilden einer Speichervorrichtung mit einer Vielzahl von Speicherzellen auf einem Substrat 1, wobei das Substrat 1 Transistorkontakte 3A, 3B zum Anschluss einer Speicherzelle an einen Auswahltransistor 2A, 2B aufweist und jede Speicherzelle ein Volumen 12A, 12B eines schaltaktiven Materials 12 aufweist, mit folgenden Schritten: Abscheiden einer ersten Schicht von isolierendem Material 11 auf dem Substrat 1; Abscheiden einer Schicht von schaltaktivem Material 12 auf der ersten Schicht des isolierenden Materials 11; Strukturieren der Schicht des schaltaktiven Materials 12, um Volumen 12A, 12B des schaltaktiven Materials 12 auszubilden; Abscheiden einer zweiten Schicht von isolierendem Material 13; Bilden von Kontaktlöchern in der ersten Schicht des isolierenden Materials 11, der schaltaktiven Materialschicht 12 und der zweiten Schicht isolierenden Materials 13 in einem einzigen Verfahrensschritt, und Füllen der Kontaktlöcher mit einem leitenden Material, um erste und zweite Elektrodenkontakte 16 zum Anschließen der Volumen 12A, 12B des schaltaktiven Materials 12 zu bilden. Weiterhin betrifft die Erfindung eine nach diesem Verfahren gebildete Speichervorrichtung.