Semiconductor device manufacturing method, involves providing semiconductor substrate available with surface, and layer pile comprising conductive layer on substrate surface

The method involves providing a semiconductor substrate available with a surface, and a layer pile comprising a conductive layer on the substrate surface. The layer pile is structured so that individual conductive strips and individual land-contact surfaces (111) are formed. Each land-contact surface is connected with a corresponding conductive strip. Lithographic exposure is done using a set of two different photomasks for structuring of layer pile. The land-contact surfaces are arranged at a side of an arrangement area which has multiple conductive strips. Independent claims are also included for the following: (1) a set of photomasks (2) a semiconductor device, which has a semiconductor substrate. Ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung umfasst die Strukturierung eines Schichtstapels zur Bildung einzelner Leiterbahnen und einzelner Lande-Kontaktflächen, wobei die Strukturierung des Schichtstapels zwei lithografische Strukturierungsschritte unter Verwendung eines Satzes aus zwei verschiedenen Fotomasken umfasst. Die Lande-Kontaktflächen sind an einer Seite eines Anordnungsbereichs, der durch eine Vielzahl von Leiterbahnen definiert ist, angeordnet. Ein Fotomaskensatz, der beim Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung verwendet wird, umfasst eine erste Fotomaske mit Mustern, die den Leiterbahnen entsprechen, und eine zweite Fotomaske mit Mustern, die den Lande-Kontaktflächen entsprechen. Eine Halbleitervorrichtung umfasst Leiterbahnen und Lande-Kontaktflächen, die mit entsprechenden Leiterbahnen verbunden sind, wobei die Lande-Kontaktflächen in einer versetzten Weise auf einer Seite eines Anordnungsbereichs, der durch die Vielzahl von Leiterbahnen definiert ist, angeordnet sind.