MRAM-Zelle mit gespaltenen Leiterbahnen

Eine magnetoresistive Speicherzelle enthält N leitfähig in Serie verschaltete magnetoresistive Elemente (5) (wobei N eine ganze Zahl größer oder gleich zwei ist). Die magnetoresistiven Elemente sind jeweils zwischen wenigstens zwei benachbarten Leiterbahnen (17, 18) positioniert. Wenigstens eine der Leiterbahnen stellt eine teilweise gespaltene Leiterbahn mit wenigstens einem Schlitzbereich (20) dar, der eine hierdurch verlaufende Querverbindung (10) umgibt und mit wenigstens einem benachbarten magnetoresistiven Element verbunden ist. A magnetoresistive memory cell includes N magnetoresistive elements conductively connected in series (where N is an integer greater than or equal to two). The magnetoresistive elements, respectively, are positioned between at least two adjacent conductive lines. At least one of the conductive lines is a partially split conductive line having at least one slit portion encompassing an interconnect running therethrough and connected to at least one adjacent magnetoresistive element.