Technik zur Herstellung einer Siliziumnitridschicht mit hoher intrinsischer kompressiver Verspannung

Verfahren mit den Schritten: Einrichten eines Plasmas in einer Silan enthaltenden Abscheideatmosphäre auf der Grundlage einer Hochfrequenzleistung und einer Niederfrequenzleistung; Einstellen eines Grades an Ionenbeschuss in Richtung auf eine Abscheideoberfläche eines Substrats durch Steuern der Hochfrequenzleistung und/oder der Niederfrequenzleistung, wobei die Höhe der Niederfrequenzleistung größer ist als die Höhe der Hochfrequenzleistung; Abscheiden von Siliziumnitrid mit intrinsicher kompressiver Verspannung auf der Abscheideoberfläche, wobei der Druck in der Abscheideatmosphäre kleiner als 270 Pa (2,0 Torr) und größer oder gleich 110 Pa (0,8 Torr) ist, um eine Siliziumnitridschicht mit intrinsischer kompressiver Verspannung zu bilden; Bilden eines p-Kanal-Transistorelements über dem Substrat vor dem Bilden der Siliziumnitridschicht; und Bilden einer dielektrischen Schicht über der Siliziumnitridschicht. The production of a silicon nitride layer with high intrinsic compressive bracing, comprises forming a transistor element on a substrate with a gate electrode structure, forming a compressive bracing silicon nitride materials in the proximity to the gate electrode based on a plasma based silane containing deposition atmosphere, and controlling the amount of compressive bracing on the basis of height of high- and low frequency power. The height of the high- and low frequency power is varied to hold the intrinsic compressive bracing at 1.5-2.5 GPa. The production of a silicon nitride layer with high intrinsic compressive bracing, comprises forming a transistor element on a substrate with a gate electrode structure, forming a compressive bracing silicon nitride materials in the proximity to the gate electrode based on a plasma based silane containing deposition atmosphere, and controlling the amount of compressive bracing on the basis of height of high- and low frequency power. The height of the high- and low frequency power is varied to hold the intrinsic compressive bracing at 1.5-2.5 GPa. The low-frequency power is fed to the deposition atmosphere. The height of the low-frequency power is greater than the height of the high-frequency power. The substrate is held at a temperature of 400 [deg]C or lower. The deposition atmosphere has a pressure of 2.0-0.8 Torr. The formation of the silicon nitride materials comprises depositing a silicon nitride layer over the metal silicide region of the transistor, structuring the silicon nitride layer, in order to fo