Memory device e.g. programmable read only memory device, forming method, involves separating upper and bottom layers, where bottom layer has higher resistance than upper layer against polishing, and upper surface is planarised by polishing

The method involves separating thermally isolating bottom layers (11, 12) on a surface, which exhibits columns (2). An upper layer (13) is separated from the bottom layer, where the bottom layer has higher resistance than the upper layer against polishing. The upper surface is planarised through polishing, in such a manner that a portion of the bottom layer is laid open above the columns. The separation of the upper layer from the bottom layer involves continuously filling up an area between the columns. The bottom layer is removed above the columns using etching. An independent claim is also included for a memory device with a number of memory cells. Offenbart wird ein Verfahren zum Bilden einer Speichervorrichtung mit einer Vielzahl von Speicherzellen, wobei jede Speicherzelle eine Säule (2) aufweist, welche einen Bereich eines aktiven Materials (3) enthält, wobei das Verfahren die folgenden Schritte aufweist: Abscheiden mindestens einer thermisch isolierenden Grundschicht (11; 12) auf einer Oberfläche, welche die Säulen (2) aufweist; Abscheiden einer oberen Schicht (13) auf der Grundschicht (11; 12), wobei die Grundschicht (11) einen höheren Widerstand gegen Polieren aufweist als die obere Schicht (13); und Planarisieren einer oberen Oberfläche durch Polieren dergestalt, dass mindestens die Teile der Grundschicht (11; 12) oberhalb der Säulen (2) freigelegt werden.