Nicht-flüchtiges Speicherelement und Verfahren zur Programmierüberprüfung in einem nicht-flüchtigen Speicherelement

Nicht-flüchtiges Speicherelement (1000), aufweisend: einen Seitenpuffer-Schaltkreis (1600) mit einer Mehrzahl von Seitenpuffer-Gruppen (PBG0-PBGy), wobei jede Seitenpuffer-Gruppe (PBG0-PBGy) eine Mehrzahl von Seitenpuffern (PB0-PB7) aufweist; eine Mehrzahl von Daten-Ausgangsleitungen (LDOL0-LDOLy), wobei jede Daten-Ausgangsleitung (LDOL0-LDOLy) mit den Seitenpuffern (PB0-P67) in einer zugehörigen Seitenpuffer-Gruppe (PBG0-PBGy) gekoppelt ist; und eine Steuer-Schaltkreisanordnung (1400) zum Steuern des Seitenpuffer-Schaltkreises (1600), sodass Daten von mehr als einem der Seitenpuffer (PB0-PB7) in jeder Seitenpuffer-Gruppe (PBG0-PBGy) zeitgleich auf einer zugehörigen Daten-Ausgangsleitung (LDOL0-LDOLy) in Abhängigkeit von einem Betriebsmodus darstellbar sind, dadurch gekennzeichnet, dass die Steuer-Schaltkreisanordnung (1400) einen Decodierschaltkreis (1500) zum zeitgleichen Aktivieren aller oder einiger der Seitenpuffer (PB0-PB7) in jeder Seitenpuffer-Gruppe (PBG0-PBGy) nach Maßgabe einer ersten Spaltenadresse (CA) in Abhängigkeit von dem Betriebsmodus aufweist. The memory (1000) has multiple data output lines each of which is connected to the page buffers in a corresponding page buffer group. A control circuit controls the page buffer circuit so that the data from the page buffers in each buffer group, is simultaneously represented on a corresponding data output line based on an operation mode. An independent claim is also included for program verification method in non-volatile memory.