Verfahren und Vorrichtungen zur Messung und Steuerung von Dünnschichtverarbeitungen

Vorrichtung zur Verarbeitung einer Dünnschicht auf einem Substrat, wobei die Vorrichtung umfasst: - eine Dünnschicht-Abscheidungsquelle zur Erzeugung einer Strömung von Vorläufern in einem Strömungsbereich; - ein Mittel zum rotatorischen Bewegen des Substrats, wobei das Substrat eine Empfangsoberfläche zum Empfangen der Vorläufer umfasst, wobei die rotatorische Bewegung des Substrats die Empfangsoberfläche um eine erste Rotationsachse rotiert; - ein Mittel zum translatorischen Bewegen des rotierenden Substrats in dem Strömungsbereich; - einen Sensor mit einer Erfassungsoberfläche zum Empfangen der Vorläufer; - ein Mittel zum rotatorischen Bewegen des Sensors, wobei die rotatorische Bewegung des Sensors die Erfassungsoberfläche um eine zweite Rotationsachse rotiert; und - ein Mittel zum translatorischen Bewegen des rotierenden Sensors in dem Strömungsbereich; wobei die rotatorische Bewegung und die translatorische Bewegung des Substrats die Empfangsoberfläche in dem Strömungsbereich entlang einer Empfangsoberflächen-Trajektorie bewegt, und wobei die rotatorische Bewegung und die translatorische Bewegung des Sensors die Erfassungsoberfläche in dem Strömungsbereich entlang einer Erfassungsoberflächen-Trajektorie bewegt, und wobei die Erfassungsoberflächen-Trajektorie und die Empfangsoberflächen-Trajektorie jeweils unabhängig durch folgende Beziehung charakterisiert sind: ... Thin film processing systems and methods are provided having a moving deposition sensor capable of translation and/or rotation in a manner that exposes the sensor to thin film deposition environments in a flux region substantially the same as the deposition environments experienced by one or more moveable substrates during a selected deposition period. In one embodiment, a thin film monitoring and control system is provided wherein one or more moveable substrates and a moveable deposition sensor are moved along substantially coincident trajectories in a flux region of a thin film deposition system for a selected deposition period. Systems and methods of the present invention may include SC-cut quartz crystal microbalance sensors capable of excitation of at least two different resonant modes.