Leistungstransistor-Schalteinrichtung und Verfahren zur Funktionsprüfung einer derartigen Leistungstransistor-Schalteinrichtung

Die Erfindung betrifft eine Leistungstransistor-Schalteinrichtung, die aufweist: DOLLAR A einen Leistungstransistor (6, 7) mit einem isolierten Gate (G) und einer ersten und zweiten Leistungselektrode (S, D; E, C), und DOLLAR A eine zwischen dem Gate (G) und der zweiten Leistungselektrode (S, E) geschalteten Gate-Widerstandseinrichtung (R¶g¶), DOLLAR A wobei DOLLAR A die Leistungselektroden über Leistungselektroden-Anschlusskontakte (3s, 3d, 3c, 3e, 3c) an einen Leistungs-Stromkreis mit einer Gleichspannungsquelle (5) und einem Gleichstromverbraucher (4) anschließbar sind, DOLLAR A das Gate (G) über einen Gate-Anschlusskontakt (3g) an eine Ansteuereinrichtung (2) anschließbar ist, und DOLLAR A die Gate-Widerstandseinrichtung (R¶g¶) in einer gateseitigen Anbindung (k1) an dem Gate (G) und einer zweiten Anbindung (k2) an der zweiten Leistungselektrode (S, E) angeschlossen ist und die gateseitige Anbindung (k1) zwischen dem Gate (G) und dem Gate-Anschlusskontakt (3g) angeordnet ist. DOLLAR A Weiterhin sind eine Schaltungsanordnung mit einer derartigen Leistungstransistor-Schalteinrichtung und ein Verfahren zur Funktionsüberprüfung einer derartigen Leistungstransistor-Schalteinrichtung vorgesehen. DOLLAR A Erfindungsgemäß kann eine Unterbrechung der Kontaktierung des Gates während des Betriebes mit geringem Aufwand ermittelt werden. The invention relates to a power transistor switching device which has: a power transistor (6, 7) with an insulated gate (G) and having a first and second power electrode (S,D; E,C), and a gate resistance device (Rg), which is connected between the gate (G) and the second power electrode (S, E), in which case the power electrodes can be connected via power electrode connecting contacts (3s, 3d, 3c, 3e, 3c) to a power circuit having a DC source (5) and a DC load (4), the gate (G) can be connected via a gate connecting contact (3g) to a drive device (2), and the gate resistance device (Rg) is connected in a gate-side link (k1) to the gate (G) and in a second link (k2) to the second power electrode (S, E), and the gate-side link (k1) is arranged between the gate (G) and the gate connecting contact (3g). A circuit arrangement having a power transistor switching device such as this, and a method for functional testing of a power transistor switching device such as this, are also provided. According to the invention, any interruption in the contact with the gate during operation can be determined with little complexity.