Verfahren zur Herstellung einer Mikrodüsenplatte

Verfahren zur Herstellung einer Mikrodüsenplatte mit den Herstellungsschritten: (A) Aufbringen einer ersten Maske (110) als Oxidationsmaske auf einer ersten Seite eines Halbleitersubstrats (100), (B) Aufbringen einer zweiten Maske (120) als Trenchmaske auf die erste Maske (110) und das Halbleitersubstrat (100), (C) Trenchätzen (200) des Halbleitersubstrats (100) durch die zweite Maske (120) bis zu einer bestimmten Tiefe zur Erzeugung von durch Gräben voneinander getrennten Säulen, (D) Abtragen (300) der zweiten Maske (120), (E) thermische Oxidation (350) des Halbleitersubstrats (100) durch die erste Maske (110) und dadurch Bildung eines thermischen Oxids (352) auf durch die erste Maske (110) zugänglichen Bereichen der ersten Seite des Halbleitersubstrats (100), wobei eine thermische Oxidation an Oberseiten der Säulen durch die erste Maske (110) verhindert wird, (F) Abtragen der ersten Maske (110) vom Halbleitersubstrat (100), (G) Selektives Ätzen (400) des Halbleitersubstrats (100) von der ersten Seite bis zu einer zweiten gegenüberliegenden Seite durch die Oberseiten der Säulen und somit Freilegen von Hohlstrukturen (420) aus thermischem Oxid (352) zur Darstellung von Mikrodüsen The method involves applying a mask on a side of a semiconductor substrate, and applying another mask on the former mask and the semiconductor substrate. The semiconductor substrate is trenched by the latter mask up to a certain depth. The latter mask is carried and the semiconductor substrate is thermally oxidized by the former mask, where the thermal oxides are formed on a side. The former mask is carried from the semiconductor substrate and the semiconductor substrate is etched from the side to another side, where a micro-nozzle (420) is excavated from the thermal oxides. An independent claim is also included for a micro-nozzle plate with a semiconductor substrate.