Memory cells e.g. electrically EEPROM-memory cells, testing method for e.g. computer, involves restoring stored information of cells, which are assigned to weak group, to modify characteristic of cells

The method involves identifying a characteristic e.g. threshold voltage, of memory cells (100) using an identification unit (13). Each memory cell is assigned to a weak group or to an error-free group using an assigning unit (14), based on the identified characteristic. Stored information of the cells assigned to the weak group is re-stored to modify the characteristic of the cells. The cells of the weak group are erased or programmed after the restoring process, to alter the stored information of the cells. Independent claims are also included for the following: (1) an integrated memory device comprising memory cells (2) a testing device comprising an identification unit. Verfahren zum Testen einer Vielzahl von Speicherzellen (100, 101) mit jeweils einer veränderbaren Kenngröße (Vt), wobei jede Speicherzelle (100, 101) ausgebildet ist, Information auf der Kenngröße (Vt) basierend zu speichern, mit den Schritten: DOLLAR A - Identifizieren der Kenngröße (Vt) jeder Speicherzelle (100, 101), DOLLAR A - Zuordnen jeder Speicherzelle (100, 101) in Abhängigkeit der identifizierten Kenngröße zu einer schwachen Gruppe (200, 500) oder zu einer fehlerfreien Gruppe und DOLLAR A - Rückspeichern der gespeicherten Informationen der Speicherzellen, die der schwachen Gruppe (200, 500) zugeordnet sind, um die Kenngrößen (Vt) dieser Speicherzellen zu verändern.