High frequency switching component for use in high frequency circuit, has two transistors, where serial connection of transistors is charge-coupled with one another, so that base region and collector emitter current are switched on and off

The component has two bipolar transistors (170, 172) that are arranged adjacent to one another, and a connecting region (104) with a conductivity type. A serial connection of the two bipolar transistors is charge-coupled with one another in such a manner that a base region (122) of the transistor (170) and collector emitter current of the transistor (172) are switched on and off. The base region is adjacent to a barrier region (120), and has a conductivity type that is different from the conductivity type of the region (104). An independent claim is also included for a high frequency circuit comprising a switch with a high frequency switching component. Ein Hochfrequenzschaltbauelement umfasst einen Verbindungsbereich (104), der einen ersten Leitfähigkeitstyp aufweist, und einen an den Verbindungsbereich (104) angrenzenden ersten Barrierebereich (108), der einen zweiten Leitfähigkeitstyp aufweist, der sich vom ersten Leitfähigkeitstyp unterscheidet. Ferner umfasst das Hochfrequenzschaltbauelement einen an den ersten Barrierebereich (108) angrenzenden Halbleiterbereich (114), der eine Dotierstoffkonzentration aufweist, die geringer ist als eine Dotierstoffkonzentration des ersten Barrierebereichs (108) oder gleich Null ist. Außerdem umfasst das Hochfrequenzschaltbauelement einen an den ersten Halbleiterbereich (114) angrenzenden zweiten Barrierebereich (120), der den ersten Leitfähigkeitstyp aufweist, und einen an den zweiten Barrierebereich (120) angrenzenden Basisbereich (122), der den zweiten Leitfähigkeitstyp aufweist. Weiterhin umfasst das Hochfrequenzschaltbauelement ein an den Halbleiterbereich (114) angrenzenden dritten Barrierebereich (128), der den zweiten Leitfähigkeitstyp aufweist und eine höhere Dotierstoffkonzentration als der Halbleiterbereich (114) aufweist. Zusätzlich umfasst das Hochfrequenzschaltbauelement einen an den dritten Barrierebereich (128) angrenzenden Emitterbereich (130), der den ersten Leitfähigkeitstyp aufweist, einen an den Halbleiterbereich (114) angrenzenden vierten Barrierebereich (174), der den zweiten Leitfähigkeitstyp aufweist und eine höhere Dotierstoffkonzentration aufweist als ...