Monitoring a metal layer in a semiconductor component automatically runs a sequence of actions during an initial time window

Locally limited hot spot scans an area of a metallizing layer (ML) (153) on a semiconductor component. The ML has a metal region (155). The hot spot's position is defined for some scanning positions. A bias voltage is applied to the area of the ML. For each scanning position, a property is detected that distinguishes a current flow through the area of the ML. An independent claim is also included for a system for handling and monitoring a metal layer in a semiconductor component. Durch lokales Erwärmen spezieller Abtastpositionen innerhalb eines interessierenden Gebiets und durch automatisches Gewinnen entsprechender Messdaten in einer zeitlich und räumlich aufgelösten Weise können dynamische Prozesse innerhalb einer Metallisierungsschicht von Halbleiterbauelementen in effizienter Weise überwacht und/oder modifiziert werden. Beispielsweise können OBIRCH- und SEI-Techniken in Verbindung mit der automatisierten Datenaufzeichnung und Manipulation eingesetzt werden, wodurch effiziente Mittel für eine in-situ-Fehleranalyse und Defekterkennung für beliebige dynamische Prozesse der Beeinträchtigung von Verbindungen und Zwischenschichtdielektrika bereitgestellt werden.