Tiefe Justiermarken auf Rand-Chips zum anschließenden Ausrichten von opaken Schichten

Verfahren zum Bilden von Justiermarken auf Rand-Chips in einem Kerf-Bereich eines Halbleiter-Substrats. Die Justiermarken werden in mindestens einer Materialschicht des Halbleiterelementes gebildet. Die Justiermarken werden unter Verwendung einer separaten Lithographiemaske gebildet und können sich in tiefere Schichten, einschließlich des Substrats des Halbleiterelementes, erstrecken. Eine opake Materialschicht wird abgeschieden, und Vertiefungen werden in der opaken Schicht über den Gräben der tiefen Justiermarken gebildet. Die Vertiefungen in der opaken Materialschicht werden dazu verwendet, einen Lithographieprozess auszurichten, welcher Lithographieprozess die opake Materialschicht über in einer darunter liegenden Metallisierungsschicht liegenden Justiermarken freilegt. Die Justiermarken in der Metallisierungsschicht werden dann dazu verwendet, den Lithographieprozess auszurichten, welcher Lithographieprozess zum Strukturieren der opaken Materialschicht verwendet wird. A method of forming alignment marks on edge chips in a kerf region of a semiconductor workpiece. The alignment marks are formed in at least one material layer of the semiconductor device. The alignment marks are formed using a separate lithography mask, and may extend into lower layers, including the workpiece, of the semiconductor device. An opaque material layer is deposited, and depressions are formed in the opaque layer over the deep alignment mark trenches. The depressions in the opaque material layer are used to align a lithography process to open the opaque material layer over alignment marks in an underlying metallization layer. The alignment marks in the metallization layer are then used to align the lithography process used to pattern the opaque material layer.