Charge-Trapping-Speicherbauelement

Ein oxidierter Bereich (10) ist zwischen einem Substrat (1) aus Halbleitermaterial und einem Nitridliner (11) angeordnet, der Wortleitungsstacks (4) eines Speicherzellenarrays sowie dazwischen vorhandene Bereiche des Substrates bedeckt. Der oxidierte Bereich ist dafür vorgesehen, den Nitridliner sowohl vom Substrat als auch von einer Speicherschichtfolge (3) aus dielektrischen Materialien, die für Charge-Trapping vorgesehen ist, zu trennen. Der Nitridliner wird als Ätzstoppschicht bei der Ausbildung von Seitenwandspacern verwendet, die in einem Peripheriebereich dazu dienen, die PN-Übergänge der Source-/Drain-Bereiche der Transistoren der Adressierschaltung an den geeigneten Stellen auszubilden. An oxidized region is arranged between a substrate of semiconductor material and a nitride liner, which covers wordline stacks of a memory cell array and intermediate areas of the substrate, and is provided to separate the nitride liner both from the substrate and from a memory layer sequence of dielectric materials that is provided for charge-trapping. The nitride liner is used as an etching stop layer in the formation of sidewall spacers used in a peripheral area to produce source/drain junctions of transistors of the addressing circuitry.