Solid state half bridge circuit having switching stages coupled to diodes and operated in a delayed mode

The half-bridge circuit (50) has a pair of solid state power switches (1, 2) that are of IGBT or MOSFET types with outputs connected to load diodes (32, 42) The control of the switches is made using separate time delays before switch on, using the outputs from the control stage (60). At given respec...

Ausführliche Beschreibung

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Hauptverfasser: BAYERER, REINHOLD, AUERBACH, FRANZ
Format: Patent
Sprache:eng ; ger
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Beschreibung
Zusammenfassung:The half-bridge circuit (50) has a pair of solid state power switches (1, 2) that are of IGBT or MOSFET types with outputs connected to load diodes (32, 42) The control of the switches is made using separate time delays before switch on, using the outputs from the control stage (60). At given respective delay times (TL1, TL2) before switching on the first and second transistors, the two controllable power diodes (3, 4) are switched from a well-conducting to a poorly-conducting state. The delays are preferably between 1 and 100 microseconds. An independent claim is included for a method for controlling a half-bridge circuit. Die Erfindung betrifft eine Halbbrückenschaltung mit einem oberen Halbbrückenzweig und einem unteren Halbbrückenzweig. Die Halbbrückenschaltung umfasst zwei steuerbare Leistungsschalter und zwei steuerbare Freilaufdioden. Zur Vermeidung von Rückstromspitzen, die aus der Speicherladung der Freilaufdioden resultieren, wird die Freilaufdiode eines Halbbrückenzweiges eine bestimmte Vorlaufzeit vor dem Einschalten des steuerbaren Leistungsschalters des anderen Zweiges in einen schlecht leitenden Zustand geschaltet, wodurch überhöhte Rückstromspitzen vermieden werden. DOLLAR A Des Weiteren betrifft die Erfindung eine Ansteuerschaltung und ein Verfahren zum Ansteuern einer solchen Halbbrückenschaltung.