Surface inspection device for semiconductor wafer, has evaluation circuit that assigns signals of light receiving mechanism to appropriate partial surfaces as function of scanning operation of optical sensing system

The device has an optical sensing system (30) that guides and scans the light (32) from a light source (31) towards the flat sides (12,13) and edge surface (14) of the wafer (10). A light receiving mechanism (40) has photoelectric converters (41) arranged to receive light reflected from the flat sid...

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1. Verfasser: IFFLAND, THOMAS
Format: Patent
Sprache:eng ; ger
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Beschreibung
Zusammenfassung:The device has an optical sensing system (30) that guides and scans the light (32) from a light source (31) towards the flat sides (12,13) and edge surface (14) of the wafer (10). A light receiving mechanism (40) has photoelectric converters (41) arranged to receive light reflected from the flat sides and edge surface of the wafer. An evaluation circuit assigns the signals of the light receiving mechanism in appropriate partial surfaces as a function of the scanning operation of the optical sensing system. The optical sensing system includes a rotating mirror (33) for alternately guiding the light from the light source towards the flat sides and edge surface of the wafer, and a deflecting mirror (37) arranged underneath a flat side of the wafer for deflecting the light in radial direction for irradiation over the wafer and to the edge surface of the wafer. An independent claim is included for the wafer surface inspection method. Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Inspektion der Oberfläche eines Wafers (10) mit einer Lichtquelle (31) zur Aussendung eines Lichtstrahls (32) und mit einem optischen Abtastsystem (30) zur abwechselnden Abtastung einer ersten und mindestens einer zweiten Oberfläche mit dem Lichtstrahl und mit einer Lichtempfangseinrichtung (40) mit mindestens einem photoelektrischen Umwandler (41) zum Empfang von gestreutem Licht, das bei der Abtastung mit dem Lichtstrahl auf der Oberfläche des Wafers erzeugt wurde.