Light emitting diode (LED) has LED flip chip that provides electrical contact between p- or n-electrode and p- or n-electrode layer, respectively, through guides

A p-electrode layer (311) and an n-electrode layer (312) are separately arranged at the two side edges (315,316) of an isolating substrate (31) and partially cover the upper side (313) and lower side of the substrate. A LED flip chip (33) with a p-electrode (331) and an n-electrode (332) is arranged on guides (321,322) on top of each electrode layer. A molding compound (34) covers the LED flip chip and the guides. The LED flip chip provides electrical contacts between the p-electrode and p-electrode layer and between the n-electrode and n-electrode layer through the guides. Die Erfindung betrifft eine Leuchtdiode mit einer Flip-Chip-Anordnung. Die Flip-Chip-LED (300) umfasst ein isolierendes Substrat (31), einen LED-Flip-Chip (33), eine Pressemasse (34), ein erstes leitendes Element (321) und ein zweites leitendes Element (322). Der LED-Flip-Chip (33) ist über die zwei leitenden Elemente elektrisch mit den Verbindungskontaktflächen auf dem isolierenden Substrat (31) verbunden. Die P- und N-Elektroden (331, 332) sind mit den P- und N-Elektrodenschichten (311, 312) verbunden. Die Erfindung vermeidet ein herkömmliches Draht-Bondverfahren. Sie erhöht nicht nur die Produktionsrate, sondern macht die Produktion auch kompakter.