Capacitive structure for semiconductor technology in e.g. consumer electronics, industries and automobile electronics has trench which adjoins trough zone, which forms second electrode of capacitive structure, formed in semiconductor body

Capacitive structure has trench (3) which adjoins to a surface (2) of semiconductor body (1). An adjacent isolation layer (4) is arranged within trench and semiconductor body. Trench adjoins trough zone (6), formed in semiconductor body, from first type of conductivity inversed to second type of conductivity. The trough zone forms second electrode of capacitive structure. An independent claim is also included for: the manufacture of the capacitive structure. Die Erfindung betrifft eine kapazitive Struktur, die einen hohen Kapazitätswert pro Chipfläche aufweist. Innerhalb eines Halbleiterkörpers (1) ist ein Trench (3) ausgebildet, der an eine Wannenzone (6) im Halbleiterkörper (1) angrenzt. Eine Isolationsschicht (4) innerhalb des Trenchs (3) dient als Dielektrikum zwischen einer im Trench ausgebildeten ersten Elektrode (5) und der als zweite Elektrode ausgebildeten Wannenzone (6).