Speicherbauelement und Verfahren zur Herstellung desselben

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Speicherbauelement und ein Verfahren zur Herstellung desselben. Das Speicherbauelement weist auf: ein Substrat, welches innerhalb eines Grabens zur Verfügung gestellt ist; eine unterhalb des Grabens ausgebildete Bit-Leitungskontaktverbindung; eine Vielzahl von Speicherknotenkontaktverbindungen, die außerhalb des Grabens gebildet sind; und eine Vielzahl von Gate-Strukturen, von denen jede auf dem Substrat ausgebildet ist, welches zwischen der Bit-Leitungskontaktverbindung und einer der Speicherknotenkontaktverbindungen angeordnet ist. Insbesondere wird jede Seitenwand des Grabens ein Teil der individuellen Kanäle und somit verlängern sich Kanallängen der Transistoren in der Zellenregion. Das bedeutet, dass ein Abstand zwischen jeweils zwei der Speicherknotenkontaktverbindungen und der Kanalregion vergrößert ist. Daher weisen die Speicherknotenkontaktverbindungen ein vermindertes Niveau von Leckströmen auf, wodurch eine Datenerhaltungszeit erhöht wird. Disclosed are a memory device and a method for fabricating the same. The memory device includes: a substrate provided with a trench; a bit line contact junction formed beneath the trench; a plurality of storage node contact junctions formed outside the trench; and a plurality of gate structures each being formed on the substrate disposed between the bit line contact junction and one of the storage node contact junctions. Each sidewall of the trench becomes a part of the individual channels and thus, channel lengths of the transistors in the cell region become elongated. Accordingly, the storage node contact junctions have a decreased level of leakage currents, thereby increasing data retention time.