Mehrfachmaske und Verfahren zur Herstellung unterschiedlich dotierter Gebiete und Verwendung des Verfahrens

Maske zum Erzeugen unterschiedlicher Dotierungen in einem Substrat, - die aus einer auf dem Substrat angeordneten Maskenschicht mit einheitlicher Höhe (h) ausgebildet ist, - mit einem ersten Maskenbereich (MB1) mit ersten Maskenöffnungen (MO1), die langgestreckt ausgebildet und parallel zu einer ers...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	Minixhofer, Rainer, Schrems, Martin, Dr, Knaipp, Martin, Dr
Format:	Patent
Sprache:	ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Maske zum Erzeugen unterschiedlicher Dotierungen in einem Substrat, - die aus einer auf dem Substrat angeordneten Maskenschicht mit einheitlicher Höhe (h) ausgebildet ist, - mit einem ersten Maskenbereich (MB1) mit ersten Maskenöffnungen (MO1), die langgestreckt ausgebildet und parallel zu einer ersten Ausrichtung (x) ausgerichtet sind, - mit einem zweiten Maskenbereich (MB2) mit zweiten Maskenöffnungen (MO2), die langgestreckt ausgebildet und parallel zu einer zweiten Ausrichtung (y) ausgerichtet sind, und - mit einem dritten Maskenbereich (MB3) mit dritten Maskenöffnungen (MO3), die langgestreckt ausgebildet und parallel zu einer dritten Ausrichtung (z) ausgerichtet sind, - wobei die Maskenbereiche (MB1, MB2, MB3) nebeneinander angeordnet sind und - wobei die erste Ausrichtung (x) und die zweite Ausrichtung (y), die erste Ausrichtung (x) und die dritte Ausrichtung (z) sowie die zweite Ausrichtung (y) und die dritte Ausrichtung (z) jeweils einen Winkel (β1, β2, 180°-β3) von 60° einschließen.