Opto-electronic component for controlling tunnel electron streams comprises a photonic crystal having a defect mode in its photonic band gap for photons with an energy such that electron transitions are induced

Opto-electronic component comprises a photonic crystal having a defect mode (D) in its photonic band gap (PB) for photons with an energy such that electron transitions are induced. Es werden ein optoelektronisches Bauelement mit einem photonischen Kristall, der zusätzlich eine elektronische Bandlück...

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Hauptverfasser: MELLIS, BIRGIT, SCHOEN, GUENTER, SCHMID, GUENTER, SIMON, ULRICH
Format: Patent
Sprache:eng ; ger
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creator MELLIS, BIRGIT
SCHOEN, GUENTER
SCHMID, GUENTER
SIMON, ULRICH
description Opto-electronic component comprises a photonic crystal having a defect mode (D) in its photonic band gap (PB) for photons with an energy such that electron transitions are induced. Es werden ein optoelektronisches Bauelement mit einem photonischen Kristall, der zusätzlich eine elektronische Bandlücke aufweist, und ein Verfahren zum Steuern von Tunnelelektronenströmen mittels Photonen vorgeschlagen. Ein weitgehend verlustfreies und sehr schnelles Schalten wird dadurch ermöglicht, daß ein photonischer Kristall aufgrund von mindestens einer Defektstelle ein Defektmode in seiner photonischen Bandlücke für Photonen mit einer derartigen Energie aufweist, daß Elektronenübergänge, insbesondere in Form von Einzelelektronentunnelvorgängen zwischen aneinanderliegenden, ligandenstabilisierten Metallclustern, durch Einstrahlung entsprechender Phtonen induzierbar sind.
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Es werden ein optoelektronisches Bauelement mit einem photonischen Kristall, der zusätzlich eine elektronische Bandlücke aufweist, und ein Verfahren zum Steuern von Tunnelelektronenströmen mittels Photonen vorgeschlagen. Ein weitgehend verlustfreies und sehr schnelles Schalten wird dadurch ermöglicht, daß ein photonischer Kristall aufgrund von mindestens einer Defektstelle ein Defektmode in seiner photonischen Bandlücke für Photonen mit einer derartigen Energie aufweist, daß Elektronenübergänge, insbesondere in Form von Einzelelektronentunnelvorgängen zwischen aneinanderliegenden, ligandenstabilisierten Metallclustern, durch Einstrahlung entsprechender Phtonen induzierbar sind.</description><language>eng ; ger</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2006</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20060323&amp;DB=EPODOC&amp;CC=DE&amp;NR=102004050176A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25564,76547</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20060323&amp;DB=EPODOC&amp;CC=DE&amp;NR=102004050176A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>MELLIS, BIRGIT</creatorcontrib><creatorcontrib>SCHOEN, GUENTER</creatorcontrib><creatorcontrib>SCHMID, GUENTER</creatorcontrib><creatorcontrib>SIMON, ULRICH</creatorcontrib><title>Opto-electronic component for controlling tunnel electron streams comprises a photonic crystal having a defect mode in its photonic band gap for photons with an energy such that electron transitions are induced</title><description>Opto-electronic component comprises a photonic crystal having a defect mode (D) in its photonic band gap (PB) for photons with an energy such that electron transitions are induced. 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