Opto-electronic component for controlling tunnel electron streams comprises a photonic crystal having a defect mode in its photonic band gap for photons with an energy such that electron transitions are induced
Opto-electronic component comprises a photonic crystal having a defect mode (D) in its photonic band gap (PB) for photons with an energy such that electron transitions are induced. Es werden ein optoelektronisches Bauelement mit einem photonischen Kristall, der zusätzlich eine elektronische Bandlück...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; ger |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
container_end_page | |
---|---|
container_issue | |
container_start_page | |
container_title | |
container_volume | |
creator | MELLIS, BIRGIT SCHOEN, GUENTER SCHMID, GUENTER SIMON, ULRICH |
description | Opto-electronic component comprises a photonic crystal having a defect mode (D) in its photonic band gap (PB) for photons with an energy such that electron transitions are induced.
Es werden ein optoelektronisches Bauelement mit einem photonischen Kristall, der zusätzlich eine elektronische Bandlücke aufweist, und ein Verfahren zum Steuern von Tunnelelektronenströmen mittels Photonen vorgeschlagen. Ein weitgehend verlustfreies und sehr schnelles Schalten wird dadurch ermöglicht, daß ein photonischer Kristall aufgrund von mindestens einer Defektstelle ein Defektmode in seiner photonischen Bandlücke für Photonen mit einer derartigen Energie aufweist, daß Elektronenübergänge, insbesondere in Form von Einzelelektronentunnelvorgängen zwischen aneinanderliegenden, ligandenstabilisierten Metallclustern, durch Einstrahlung entsprechender Phtonen induzierbar sind. |
format | Patent |
fullrecord | <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_DE102004050176A1</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>DE102004050176A1</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_DE102004050176A13</originalsourceid><addsrcrecordid>eNqNjrtOA0EMRbehQIF_uA1lpFkeoUYkiI6GPjKz3p2RZj2jsReU3-SL2E1AaaksX51z7cvm-61YXnNibzVL9PB5LFlYDH2u8yZznlKUATaJcMIfC7XKNOrRqFFZQSgh26mmHtQoIdDn4hI67mcPY-4YURBNz_AHSYeByvHkKVV8RQsgAQvX4QCdfIAFsvMDVkk0WlxoqkttN3nurpqLnpLy9e9cNTcvu_fn1zWXvGct5OdK2293rbt17t49uPZx89Te_Zf7AatZam8</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>Opto-electronic component for controlling tunnel electron streams comprises a photonic crystal having a defect mode in its photonic band gap for photons with an energy such that electron transitions are induced</title><source>esp@cenet</source><creator>MELLIS, BIRGIT ; SCHOEN, GUENTER ; SCHMID, GUENTER ; SIMON, ULRICH</creator><creatorcontrib>MELLIS, BIRGIT ; SCHOEN, GUENTER ; SCHMID, GUENTER ; SIMON, ULRICH</creatorcontrib><description>Opto-electronic component comprises a photonic crystal having a defect mode (D) in its photonic band gap (PB) for photons with an energy such that electron transitions are induced.
Es werden ein optoelektronisches Bauelement mit einem photonischen Kristall, der zusätzlich eine elektronische Bandlücke aufweist, und ein Verfahren zum Steuern von Tunnelelektronenströmen mittels Photonen vorgeschlagen. Ein weitgehend verlustfreies und sehr schnelles Schalten wird dadurch ermöglicht, daß ein photonischer Kristall aufgrund von mindestens einer Defektstelle ein Defektmode in seiner photonischen Bandlücke für Photonen mit einer derartigen Energie aufweist, daß Elektronenübergänge, insbesondere in Form von Einzelelektronentunnelvorgängen zwischen aneinanderliegenden, ligandenstabilisierten Metallclustern, durch Einstrahlung entsprechender Phtonen induzierbar sind.</description><language>eng ; ger</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2006</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20060323&DB=EPODOC&CC=DE&NR=102004050176A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25564,76547</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20060323&DB=EPODOC&CC=DE&NR=102004050176A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>MELLIS, BIRGIT</creatorcontrib><creatorcontrib>SCHOEN, GUENTER</creatorcontrib><creatorcontrib>SCHMID, GUENTER</creatorcontrib><creatorcontrib>SIMON, ULRICH</creatorcontrib><title>Opto-electronic component for controlling tunnel electron streams comprises a photonic crystal having a defect mode in its photonic band gap for photons with an energy such that electron transitions are induced</title><description>Opto-electronic component comprises a photonic crystal having a defect mode (D) in its photonic band gap (PB) for photons with an energy such that electron transitions are induced.
Es werden ein optoelektronisches Bauelement mit einem photonischen Kristall, der zusätzlich eine elektronische Bandlücke aufweist, und ein Verfahren zum Steuern von Tunnelelektronenströmen mittels Photonen vorgeschlagen. Ein weitgehend verlustfreies und sehr schnelles Schalten wird dadurch ermöglicht, daß ein photonischer Kristall aufgrund von mindestens einer Defektstelle ein Defektmode in seiner photonischen Bandlücke für Photonen mit einer derartigen Energie aufweist, daß Elektronenübergänge, insbesondere in Form von Einzelelektronentunnelvorgängen zwischen aneinanderliegenden, ligandenstabilisierten Metallclustern, durch Einstrahlung entsprechender Phtonen induzierbar sind.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2006</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNqNjrtOA0EMRbehQIF_uA1lpFkeoUYkiI6GPjKz3p2RZj2jsReU3-SL2E1AaaksX51z7cvm-61YXnNibzVL9PB5LFlYDH2u8yZznlKUATaJcMIfC7XKNOrRqFFZQSgh26mmHtQoIdDn4hI67mcPY-4YURBNz_AHSYeByvHkKVV8RQsgAQvX4QCdfIAFsvMDVkk0WlxoqkttN3nurpqLnpLy9e9cNTcvu_fn1zWXvGct5OdK2293rbt17t49uPZx89Te_Zf7AatZam8</recordid><startdate>20060323</startdate><enddate>20060323</enddate><creator>MELLIS, BIRGIT</creator><creator>SCHOEN, GUENTER</creator><creator>SCHMID, GUENTER</creator><creator>SIMON, ULRICH</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20060323</creationdate><title>Opto-electronic component for controlling tunnel electron streams comprises a photonic crystal having a defect mode in its photonic band gap for photons with an energy such that electron transitions are induced</title><author>MELLIS, BIRGIT ; SCHOEN, GUENTER ; SCHMID, GUENTER ; SIMON, ULRICH</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_DE102004050176A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; ger</language><creationdate>2006</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>MELLIS, BIRGIT</creatorcontrib><creatorcontrib>SCHOEN, GUENTER</creatorcontrib><creatorcontrib>SCHMID, GUENTER</creatorcontrib><creatorcontrib>SIMON, ULRICH</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>MELLIS, BIRGIT</au><au>SCHOEN, GUENTER</au><au>SCHMID, GUENTER</au><au>SIMON, ULRICH</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>Opto-electronic component for controlling tunnel electron streams comprises a photonic crystal having a defect mode in its photonic band gap for photons with an energy such that electron transitions are induced</title><date>2006-03-23</date><risdate>2006</risdate><abstract>Opto-electronic component comprises a photonic crystal having a defect mode (D) in its photonic band gap (PB) for photons with an energy such that electron transitions are induced.
Es werden ein optoelektronisches Bauelement mit einem photonischen Kristall, der zusätzlich eine elektronische Bandlücke aufweist, und ein Verfahren zum Steuern von Tunnelelektronenströmen mittels Photonen vorgeschlagen. Ein weitgehend verlustfreies und sehr schnelles Schalten wird dadurch ermöglicht, daß ein photonischer Kristall aufgrund von mindestens einer Defektstelle ein Defektmode in seiner photonischen Bandlücke für Photonen mit einer derartigen Energie aufweist, daß Elektronenübergänge, insbesondere in Form von Einzelelektronentunnelvorgängen zwischen aneinanderliegenden, ligandenstabilisierten Metallclustern, durch Einstrahlung entsprechender Phtonen induzierbar sind.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
fulltext | fulltext_linktorsrc |
identifier | |
ispartof | |
issn | |
language | eng ; ger |
recordid | cdi_epo_espacenet_DE102004050176A1 |
source | esp@cenet |
subjects | BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES |
title | Opto-electronic component for controlling tunnel electron streams comprises a photonic crystal having a defect mode in its photonic band gap for photons with an energy such that electron transitions are induced |
url | https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-01-05T13%3A42%3A22IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=MELLIS,%20BIRGIT&rft.date=2006-03-23&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3EDE102004050176A1%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true |