Opto-electronic component for controlling tunnel electron streams comprises a photonic crystal having a defect mode in its photonic band gap for photons with an energy such that electron transitions are induced

Opto-electronic component comprises a photonic crystal having a defect mode (D) in its photonic band gap (PB) for photons with an energy such that electron transitions are induced. Es werden ein optoelektronisches Bauelement mit einem photonischen Kristall, der zusätzlich eine elektronische Bandlück...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: MELLIS, BIRGIT, SCHOEN, GUENTER, SCHMID, GUENTER, SIMON, ULRICH
Format: Patent
Sprache:eng ; ger
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Beschreibung
Zusammenfassung:Opto-electronic component comprises a photonic crystal having a defect mode (D) in its photonic band gap (PB) for photons with an energy such that electron transitions are induced. Es werden ein optoelektronisches Bauelement mit einem photonischen Kristall, der zusätzlich eine elektronische Bandlücke aufweist, und ein Verfahren zum Steuern von Tunnelelektronenströmen mittels Photonen vorgeschlagen. Ein weitgehend verlustfreies und sehr schnelles Schalten wird dadurch ermöglicht, daß ein photonischer Kristall aufgrund von mindestens einer Defektstelle ein Defektmode in seiner photonischen Bandlücke für Photonen mit einer derartigen Energie aufweist, daß Elektronenübergänge, insbesondere in Form von Einzelelektronentunnelvorgängen zwischen aneinanderliegenden, ligandenstabilisierten Metallclustern, durch Einstrahlung entsprechender Phtonen induzierbar sind.