Halbleitermodul mit einem internen Halbleiterchipstapel und Verfahren zur Herstellung desselben

Die Erfindung betrifft ein Halbleitermodul (1) mit einem internen Halbleiterchipstapel (2) auf einem Verdrahtungssubstrat (3). Der Halbleiterchipstapel (2) weist versetzt angeordnete Halbleiterchips (4-7) auf, wobei die Halbleiterchips (4-7) auf mindestens einem Randbereich (8-11) ihrer aktiven Oberseite (12-15) Bondanschlussflächen (16) aufweisen. Diese Bondanschlussflächen (16) sind über Bondverbindungen (17-20) mit dem Verdrahtungssubstrat (3) elektrisch verbunden. Dabei sind die Halbleiterchips (4-7) derartig versetzt aufeinander gestapelt, dass die Bondanschlussflächen (16) frei von einem darauf gestapelten Halbleiterchip (5-7) bleiben. Dabei können die Halbleiterchips (4-7) identische Siliziumchips sein, die sich beispielsweise paarweise in ihrer Verdrahtungsstruktur (44) der zentral angeordneten Kontaktflächen (26) auf unterschiedlichen Randbereichen (8-11) unterscheiden können. A semiconductor module having an internal semiconductor chip stack on a wiring substrate is disclosed. In one embodiment, the semiconductor chip stack has semiconductor chips which are arranged such that they are offset, the semiconductor chips having bonding connection pads in at least one edge region of their active top side. These bonding connection pads are electrically connected to the wiring substrate via bonding connections. In this case, the semiconductor chips are stacked on top of one another in an offset manner such that the bonding connection pads remain free of a semiconductor chip which is stacked on top of them. In this case, the semiconductor chips may be identical silicon chips which may differ, for example in pairs, in terms of their wiring structure for the centrally arranged contact areas in different edge regions.