Verfahren zum Testen eines Kontaktbereichs eines Halbleitermoduls

Es wird ein Verfahren zum Testen eines Kontaktbereichs (30) eines Halbleitermoduls (10) mit einer Schaltungsanordnung vorgeschlagen, bei welchem das Halbleitermodul (10) durch einen elektrischen Heizstromfluss (I') geheizt und dabei die elektrische und/oder thermische Qualität einer Mehrzahl vorgesehener Kontakte (31, 32) des Kontaktbereichs (30) aus einer temperaturabhängigen Messgröße (UR) ermittelt wird. Der Heizstromfluss (I') wird gebildet von einer Mehrzahl Heizstrompulse (I, I1, I2). Die Anwendung der Heizstrompulse (I, I1, I2) führt zu unterschiedlichen Phasen (Ph1, Ph2) der Messgröße (UR). Die unterschiedlichen Phasen (Ph1, Ph2) werden den unterschiedlichen Kontakten (31, 32) zugeordnet und entsprechend zur Ermittlung der elektrischen und/oder thermischen Qualität der Kontakte (31, 32) ausgewertet. A method for testing a contact region of a semiconductor module having a circuit arrangement is disclosed. In one embodiment, the semiconductor module is heated by an electrical heating current flow and the electrical and/or thermal quality of a plurality of contacts provided in the contact region is determined in the process from a temperature-dependent measurement quantity. The heating current flow is formed by a plurality of heating current pulses. The application of the heating current pulses leads to different phases of the measurement quantity. The different phases are assigned to the different contacts and evaluated correspondingly for determining the electrical and/or thermal quality of the contacts.