Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode unter Verwendung von Metall-Substrat und Metall-Klebe-Technologie und Struktur dieser

Beschrieben wird ein Verfahren zur Herstellung der Leuchtdiode unter Verwendung des Metall-Substrats und der Metall-Klebe-Technologie. Das Verfahren umfasst die Schritte Bereitstellen eines Aufwachs-Substrats (10), Ausbilden einer mehrlagigen Halbleiter-Struktur (1) auf dem Aufwachs-Substrat (10), Kleben eines Metall-Substrats (13) an die mehrlagige Halbleiter-Struktur (11), Entfernen des Aufwachs-Substrats (10) und Ausbilden einer ersten Elektrode und einer zweiten Elektrode jeweils auf der mehrlagigen Halbleiter-Struktur (11) und dem Metall-Substrat (13). A method for manufacturing the light emitting diode utilizing the metal substrate and the metal bonding technology is provided. The method includes steps of providing a growing substrate, forming a multi-layered semiconductor structure on the growing substrate, bonding a metal substrate to the multi-layered semiconductor structure, removing the growing substrate, and forming a first electrode and a second electrode on the multi-layered semiconductor structure and the metal substrate respectively.