Photonic crystal structure, for a frequency selective reflector or diffractive polarization-dependent band splitter, has grate bars on a substrate of alternating low and high refractive material layers

The photonic crystal structure (PCS) has a substrate (1) of a dielectric material and a photonic structure as grate bars (2) on it. The grate bars are composed of at least one layer system (3,4) with overlaid with alternating layers of low (L) and high (H) refractive materials. The layer directly at...

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Hauptverfasser: PESCH, ALEXANDER, SANDFUCHS, OLIVER
Format: Patent
Sprache:eng ; ger
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Beschreibung
Zusammenfassung:The photonic crystal structure (PCS) has a substrate (1) of a dielectric material and a photonic structure as grate bars (2) on it. The grate bars are composed of at least one layer system (3,4) with overlaid with alternating layers of low (L) and high (H) refractive materials. The layer directly at the substrate is of low refractive material and the layer furthest from the substrate is of high refractive material. The layer systems are separated by an intermediate layer (5) and a coupling layer (6) is at the top of the bars. The high refractive material can be Al2O3 or SiO, and the low refractive material can be CaF2 or cryolite. The assembly of substrate and grate bars with the intermediate space (7) is covered by upper and lower diffractive and bi-directional antireflection coatings (8,9). Die Erfindung betrifft eine photonische Kristallstruktur, welche ein Substrat 1 aus einem dielektrischen Material und eine photonische Struktur in Form von Gitterstegen 2 umfaßt, wobei die Gitterstege 2 auf dem Substrat 1 angeordnet sind und aus übereinander angeordneten Schichten und H aus niedrigbrechendem und hochbrechendem Material bestehen. Zur Erreichung einer möglichst großen nutzbaren Bandlücke für das Licht in einem bestimmten Spektralbereich sind die Gitterstege 2 aus mindestens einem Schichtsystem 3; 4 aufgebaut, welches aus übereinander angeordneten, niedrigbrechenden und hochbrechenden, dielektrischen Schichten L und H besteht, wobei die unmittelbar auf dem Substrat 1 angeordnete Schicht L aus niedrigbrechendem und die von dem Substrat 1 entfernteste Schicht der Gitterstege 2 aus hochbrechendem Material H bestehen. Zwischen den Schichtsystemen 3 und 4 ist eine Zwischenschicht 5 angeordnet.