Halbleiterbauelement mit einer Messstruktur und Verfahren zum Messen des Halbleiterbauelements unter Verwendung der Messstruktur

Halbleiterbauelement mit - einer ersten Materialschicht (40) mit einem Chipgebiet, in dem ein integrierter Schaltkreis ausgebildet ist, und einem Anreißgebiet (20), welches das Chipgebiet umgibt, - einer Messstruktur (42), die in dem Anreißgebiet der ersten Materialschicht ausgebildet ist, wobei eine Oberflächenquerschnittsfläche der Messstruktur größer als eine Oberflächenquerschnittsfläche eines Strahlgebiets ist, in das Messstrahlen projiziert werden, und - einer Dummystruktur (46), die zur Reduzierung der Oberflächenquerschnittsfläche der Messstruktur in der Messstruktur ausgebildet ist, wobei die Oberflächenquerschnittsfläche der Dummystruktur 5% bis 15% der Oberflächenquerschnittsfläche des Strahlgebiets belegt.