Integrated circuit e.g. NROM, path pattern lithographic projection method, involves operating projection apparatus in two modes to project pattern onto resist layer, and controlling phase of exposure light by alternating phase shift mask

The method involves applying a photoresist layer (10) on top of a semiconductor wafer (5). A projection apparatus is operated in two modes to project a circuit path pattern (14) onto the layer, where exposure light intensity is selected to be above an exposure threshold of the layer in one mode. The phase of the exposure light is controlled by an alternating phase shift mask (12). The layer is processed to form a resist pattern. An independent claim is also included for a use of a lithographic projection method for fabrication of an integrated circuit. Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur lithographischen Projektion eines Musters von Strukturelementen mittels Doppelbelichtung. Nach dem Bereitstellen eines Halbleiterwafers (5), auf dessen Oberseite eine Resistschicht (10) mit einer Belichtungsschwelle aufgebracht wird, einer Phasenschiebermaske (12), die das Muster (14) von Strukturelementen umfasst, und eines Projektionsapparates (16) mit einem Substrathalter (22), auf dem der Halbleiterwafer (5) auf dem Substrathalter (22) abgelegt wird, wobei der Projektionsapparat (16) geeignet ist, eine Belichtung in einem ersten und einem zweiten Belichtungsmodus durchzuführen, wird der erste Belichtungsmodus ausgewählt. Die Belichtungsdosis wird kleiner als die Belichtungsschwelle gewählt. Anschließend wird das Muster (14) so abgebildet, dass die niedrigste Beugungsordnung ausgelöscht wird. Es erfolgt das Auswählen des zweiten Belichtungsmodus. Anschließend wird das Muster (14) projiziert, wobei wenigstens die niedrigste Beugungsordnung abgebildet wird. Die zweite Belichtungsdosis ist zusammen mit der ersten Belichtungsdosis bei Überlagerung größer als die Belichtungsschwelle. Die Erfindung betrifft darüber hinaus die Verwendung des Verfahrens zur Herstellung einer integrierten Schaltung.