Verfahren und Vorrichtung zum Behandeln von Substratoberflächen mittels Ladungsträgerbeschuss

Verfahren zum Beaufschlagen von mindestens einem Substrat (3) mit elektrischen Ladungsträgern in einer Vakuumkammer (1) zum Zwecke der Oberflächenbehandlung, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen mindestens einer Elektronenemissionseinrichtung (5) und mindestens einer als Anode geschalteten Elektrode (11) eine stromstarke Gasentladung ausgebildet wird, wobei das Substrat (3) in Nähe der als Anode geschalteten Elektrode (11) in einem Bereich (17) der Gasentladung angeordnet oder durch diesen Bereich (17) bewegt wird, wobei die als Anode geschaltete Elektrode (11) von einem tunnelförmig in sich geschlossenen Magnetfeld (13) in der Art einer Magnetronkatode mit einer Feldstärke von mindestens 10 A/m durchdrungen wird und das Substrat (3) mit einer elektrischen Spannung beaufschlagt wird, welche im Zeitverlauf gegenüber der als Anode geschalteten Elektrode (11) überwiegend negative Werte aufweist. Impinging a substrate (3) with electrical charge carriers in a vacuum chamber (1) to treat the surface comprises forming a gas discharge between an electron emission unit (5) and an electrode (11) connected as anode. The substrate is arranged close to the electrode in a region (17) and is moved in this region. The electrode is penetrated by a tunnel-like closed magnetic field (13) in the form of a magnetron cathode having a field strength of at least 10 A/m. The substrate is subjected to an electrical voltage which has a negative value compared with the electrode. An independent claim is also included for a device for impinging a substrate with electrical charge carriers in a vacuum chamber to treat the surface. Preferred Features: The electrical voltage is a direct voltage or self-biasing voltage.