Semiconductor structure, produced by forming an oxygen diffusion layer on a substrate, followed by a dielectric layer which is thermally oxidised

A process for producing a semiconductor structure comprises preparing a semiconductor substrate (1), forming an oxygen diffusion prevention liner layer (5) on top, and forming a dielectric layer (10) on the liner. The dielectric layer contains oxygen and is formed using atomic layer chemical vapour deposition. The dielectric layer is thermally oxidised in an oxygen atmosphere. The diffusion prevention liner prevents oxidation of the substrate below. Die vorliegende Erfindung schafft ein Herstellungsverfahren für eine Halbleiterstruktur mit den Schritten: Bereitstellen eines Halbleitersubstrats (1); Vorsehen einer Sauerstoffdiffusion-hemmenden Linerschicht (5) auf dem Halbleitersubstrat (1); Vorsehen einer sauerstoffhaltigen Dielektrikumschicht (10) auf der Linerschicht (5) mittels eines ALD-Prozesses unter Verwendung organischer Precursoren; und thermisches Nachoxidieren der Dielektrikumschicht (10) in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre, wobei die Sauerstoffdiffusion-hemmende Linerschicht (5) eine Oxidation des darunterliegenden Halbleitersubstrats verhindert.