Carbon layer formation, comprises precipitating a layer by introducing a carbon containing gas to a hydrogen atmosphere at high pressure and temperature

A process for producing a carbon layer with a specific resistance less than 1mOhmcm and a hardness of 2-9Gpa, comprises precipitating the carbon layer. The substrate is in a hydrogen atmosphere with a pressure of 1-4 hectopascals and a temperature of 600-1000o>C. A gas containing carbon is added...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	KREUPL, FRANZ, STEINLESBERGER, GERNOT
Format:	Patent
Sprache:	eng ; ger
Schlagworte:	APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBEMICROSCOPY [SPM] CHEMICAL SURFACE TREATMENT CHEMISTRY COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL COATING METALLIC MATERIAL DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL MEASURING METALLURGY PHYSICS SCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION TESTING
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Beschreibung
Zusammenfassung:	A process for producing a carbon layer with a specific resistance less than 1mOhmcm and a hardness of 2-9Gpa, comprises precipitating the carbon layer. The substrate is in a hydrogen atmosphere with a pressure of 1-4 hectopascals and a temperature of 600-1000o>C. A gas containing carbon is added to form the carbon layer. Ein Verfahren zum Herstellen einer im Wesentlichen aus Kohlenstoff bestehenden Schicht, welche einen spezifischen Widerstand von weniger als 1 mOMEGAcm und eine Härte zwischen 2 GPa und 9 GPa aufweist, bei dem auf einer Oberfläche eines Substrats in einer Wasserstoffatmosphäre mit einem Gesamtdruck zwischen 1 Hektopascal und 4 Hectopascal und bei einer Temperatur zwischen 600 DEG C und 1000 DEG C eine im Wesentlichen aus Kohlenstoff bestehende Schicht mittels Zuführens eines kohlenstoffhaltigen Gases ausgebildet wird.