Sputtering device useful for production of thin dielectric films for optical devices and mixed films, includes a vacuum chamber, a cylindrical rotatable substrate holder in the generator and two film deposition regions

A sputtering device including a vacuum chamber (1), a cylindrical rotatable substrate holder (9) in the generator, a substrate mounted on the outer periphery of the substrate holder, two film deposition regions in the vacuum chamber, first and second sputtering sources (35,36), targets, cathodes, and plasma generators (51,52), with the first sputtering source and plasma generator and the second sputtering source and generator respectively separated from each other. An independent claim is included for a mixed film applied to a substrate by a sputtering device with repetition of the following process:sputtering of a film from a first target material onto the substrate from a first target source, production of a reaction of the film formed by a first plasma generator, deposition of a film from a second target material from a second sputtering source, and production of a reaction of the film formed by a second plasma generator. Es werden eine Sputtervorrichtung zur Erzeugung eines Mischfilms mit einer stöchiometrisch vollständigen Zusammensetzung und einem Brechungsindex, der einem vorbestimmten Wert entspricht, ohne Verminderung der Filmabscheidungsgeschwindigkeit, ein Mischfilm, der mit einer solchen Sputtervorrichtung erzeugt wird, und ein Mehrschichtfilm bereitgestellt, der den Mischfilm umfasst. DOLLAR A Eine Sputtervorrichtung 100, die eine Vakuumkammer 1, einen zylindrischen Substrathalter 9, der drehbar in der Vakuumkammer gehalten ist, und ein Substrat 10 umfasst, das an einem äußeren Umfang des Substrathalters montiert ist, wobei die Vakuumkammer 1 einen ersten Filmabscheidungsbereich A und einen zweiten Filmabscheidungsbereich B zum Abscheiden eines Films auf dem Substrat umfasst, wobei der erste Filmabscheidungsbereich A eine erste Sputterquelle 35 und einen ersten Plasmagenerator 51 und der zweite Filmabscheidungsbereich B eine zweite Sputterquelle 36 und einen zweiten Plasmagenerator 52 umfasst, und wobei die erste Sputterquelle 35 und der erste Plasmagenerator 51 physisch voneinander isoliert sind und die zweite Sputterquelle 36 und der zweite Plasmagenerator 52 physisch voneinander isoliert sind.