Product mask used in the production of microelectronics comprises a quartz layer, and a masking layer on the quartz layer for masking predetermined regions of the quartz layer to project the semiconductor layers

Product mask comprises: a quartz layer; and a masking layer on the quartz layer for masking predetermined regions of the quartz layer to project the semiconductor layers. The mask surface has one or more predetermined defects, each of which is masked by a mark on the mask surface. Independent claims are also included for the following: (i) a phase shift mask comprising the above product mask with a number of trenches formed in the quartz layer; and (ii) a process for the production of the phase shift mask. Preferred Features: Each mark comprises a number of markers each assigned a marker type with a predetermined defect parameter. The markers are rectangular and are formed by a quartz protrusion or quartz hole on or in the quartz layer. Die Erfindung bezieht sich auf eine Maske, und insbesondere auf eine Phasenverschiebungs-Produktmaske, bei deren Herstellung im sogenannten "second layer"-Prozess vorbestimmte Defekte erzeugt werden. Die Defekte werden durch Marker in deren unmittelbarer Nähe gekennzeichnet. Die Marker sind viereckig und zeigen durch ihre Anzahl in Kombination mit deren Anordnung Informationen über den jeweils zugeordneten Defekt an, wie beispielsweise Defekttyp, Defektgröße etc.