Production of thin praseodymium oxide film as dielectric in electronic element of semiconductor device, e.g. deep trench capacitor or FET gate dielectric, involves depositing reactive praseodymium and oxygen compounds from gas phase

Production of thin praseodymium (Pr) oxide film as dielectric in an electronic element of a semiconductor device comprises depositing, from the gas phase, a chemically reactive Pr compound (I) on (sections of) a substrate surface, and converting this to Pr oxide with a chemically reactive oxygen compound (II) also deposited from the gas phase. Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung dünner Praseodymoxidschichten als Dielektrikum in einem elektronischen Bauelement einer Halbleitereinrichtung. Die Abscheidung des Praseodymoxids erfolgt durch ein CVD-Verfahren oder ein ALD-Verfahren. Das Verfahren erlaubt die Abscheidung von Praseodymschichten auch auf Substraten mit hoher Topographie.