Gunn effect semiconducting component has base collector space charging zone whose extent is controlled by applied d.c. voltage and current and in which Gunn effect occurs

The device has thick collector, a base collector space charging zone whose extent is controlled by the applied d.c. voltage and current and in which the Gunn effect occurs, whereby the oscillation frequency of the occurring oscillations are controlled by the adjustable working point so that a voltage or current controlled oscillator is produced. Die Erfindung betrifft ein Gunn-Effekt-Halbleiterbauelement wie einen Hetero-Bipolar-Transistor (HBT) zur frequenzvariablen, einstellbaren Erzeugung von elektrischen Schwingungen. DOLLAR A Die Aufgabe der Erfindung, ein Gunn-Effekt-Halbleiterbauelement wie einen HBT zu entwickeln, mit dem die beschriebenen Nachteile des Standes der Technik weitgehend vermieden werden und mit dem variable, einstellbare elektrische Schwingungen ohne externe Beschaltungen erzeugt werden können und welches als ein Frequenzvervielfacher und/oder als Oszillator in einer Schaltung eingesetzt werden kann, wird durch ein Gunn-Effekt-Halbleiterbauelement wie einen Hetero-Bipolar-Transistor (HBT) zur frequenzvariablen, einstellbaren Erzeugung von elektrischen Schwingungen gelöst, welches einen dicken Kollektor (3) aufweist, wobei in der Basis-Kollektor-Raumladungszone, deren Ausdehnung durch die angelegte Gleichspannung und den Gleichstrom gesteuert wird, der Gunn-Effekt auftritt, sodass die Oszillationsfrequenz durch den Arbeitspunkt gesteuert wird.