Verfahren zur Herstellung eines Kondensators für eine Halbleiterspeichervorrichtung durch eine zweistufige Thermalbehandlung

Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Kondensators für eine Halbleiterspeichervorrichtung durch eine zweistufige Thermalbehandlung vorgesehen. Eine untere Elektrode wird auf einem Halbleitersubstrat ausgebildet. Eine dielektrische Schicht ist über der unteren Elektrode ausgebildet. Eine obere Elektrode aus Edelmetall wird über der dielektrischen Schicht ausgebildet. Die resultierende Struktur mit der oberen Eleketrode erfährt eine erste Thermalbehandlung bei einer ersten Atmosphäre mit Sauerstoff und bei einer ersten Temperatur, welche aus dem Bereich von 200-600 DEG C auszuwählen ist und welche niedriger als die Oxidationstemperatur der oberen Elektrode ist. Die sich nach der ersten Thermalbehandlung ergebende Struktur erfährt eine zweite Thermalbehandlung bei einer zweiten Atmosphäre ohne Sauerstoff und bei einer zweiten Temperatur, welche aus einem Bereich von 300-900 DEG C auszuwählen ist und welche höher als die erste Temperatur ist. A method for manufacturing a capacitor of a semiconductor memory device by a two-step thermal treatment is provided. A lower electrode is formed on a semiconductor substrate. A dielectric layer is formed over the lower electrode. An upper electrode formed of a noble metal is formed over the dielectric layer. The resultant having the upper electrode undergoes a first thermal treatment under a first atmosphere including oxygen at a first temperature which is selected to be within a range of 200-600° C., which is lower than the oxidation temperature of the upper electrode. The first thermally treated resultant undergoes a second thermal treatment under a second atmosphere without oxygen at a second temperature which is selected to be within a range of 300-900° C., which is higher than the first temperature.