Process for adjusting the height of the step between active regions and insulating regions during the production of integrated circuits involves implanting an electrically non-active element

Process for adjusting height of step between active and insulating regions during production of integrated circuits comprises: etching trenches (6) filled with oxide (8') in a semiconductor substrate (1) to isolate active regions; and implanting electrically non-active element into oxide (8') in partial region (II) of semiconductor wafer to change etching rate of oxide in the partial region. An Independent claim is also included for a process for the production of a dynamic random access memory (DRAM) semiconductor memory. Es wird ein Verfahren zur gezielten Einstellung der Stufenhöhe zwischen aktiven Gebieten und isolierenden Gebieten (6) bei der Herstellung von integrierten Schaltungen beschrieben, bei der in ein Halbleitersubstrat (1) zur gegenseitigen Isolierung der aktiven Gebiete Gräben (6) eingeätzt werden, die mit einem Oxid (8') aufgefüllt werden. Bei dem Verfahen wird wenigstens in einem Teilbereich des bearbeiteten Halbleiterwafers in das Oxid (8') zur Veränderung der Ätzrate dieses Oxids und damit zur Einstellung der Stufenhöhe (h) in dem genannten Teilbereich ein im Halbleitersubstrat (1) elektrisch nicht aktives Element implantiert.