Method for producing a semiconducter wafer with asymmetric edges involves fixing wafer onto rotating table and offsetting rotating machining tool with respect to centerline of wafer

The method includes involves centrically fixing the wafer on a rotating table and advancing the edge to a rotating machining tool which has a symmetrical profile. The machining tool is offset with respect to the centerline of the wafer parallel to the rotation axis of the wafer before starting the machining to achieve asymmetric wafer edges. Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe mit asymmetrischen Kantenprofil durch materialabtragendes Bearbeiten der Scheibenkante, wobei die Halbleiterscheibe auf einem sich drehenden Tisch zentrisch fixiert ist und mit der Kante gegen die sich ebenfalls drehende Arbeitsfläche eines Bearbeitungswerkzeugs zugestellt wird, dadurch gekennzeichnet, dass ein Bearbeitungswerkzeug mit symmetrischem Profil verwendet wird, wobei die Asymmetrie der Scheibenkante dadurch erreicht wird, dass das Bearbeitungswerkzeug vor Beginn der Bearbeitung gegenüber der Mittelebene der Halbleiterscheibe parallel zur Rotationsachse der Halbleiterscheibe verschoben wird.